内窥镜EMI整改

内窥镜EMI整改报告 

一、整机架构：（待更新）

二、整改前超标数据： 

超标频点分4段：1、68M~103M，108M~110M，130M~220M，230M~240M，270M附近有尖峰超标。 

三、定位分析：

1、BT656的27M时钟信号，在270M形成倍频辐射； 

2、BT656数据线在有数据传输的时候存在辐射；

3、LVDS驱动器输出阻抗低，不是标准的50Ω，大约在30Ω左右；

4、LVDS驱动器存在共模干扰，LVDS的辐射淹没在三个包络之中； 

5、AC-DC的50K干扰在68M~103M形成严重的倍频干扰；

6、PMU未分地，布局不合理，没有遵守三点原则，在108M~110M，130M~220M，230M~240M这三个频段形成严重的倍频干扰； 

7、供应ARM外设的DC3.3V负载太轻，DC-DC间歇性振荡。 

四、整改措施： 

1、针对BT656的CLK，串联一个UWB，就近对GND并联10pF的C0G电容，数据线将原来的120Ω磁珠换成UWB；

2、LVDS输出端，靠近芯片端串联22Ω电阻，使之接近标准50Ω输出阻抗，再串联HZ&HC共模电感； 

3、AC-DC模块的输出线在靠近输出端套25*12*15磁环，绕3圈；

4、PMU模块整改措施：

①：先将PMU GND与核心板GND分割开，在PMU输入点单点接GND；

②：将各路DC-DC的输入和输出电容GND以最短路径连接到PMU GND；

③：将原来DC-DC的电解电容改成10uF/10V的MLCC，并联10nF/X7R小电容； 

④：ARM外设的DC3.3V DC-DC停用，外设与Core3.3V共用；

⑤：DC-DC输出端串联UWB，并联10nF/X7R电容；

⑥：PMU输入端接入π形滤波器，隔离回流路径；

⑦：PMU底部GND和四周的GND PIN大面积铺铜，降低GND回流阻抗； 

五、整改后数据： 

经上述对策后，RE在CISPR11法规频段内已经完全达标，并有7dB以上裕量。